宽带光源当底座，光器件量产测试才立得住

干光器件测试这行超过十年，我越来越确认一个判断：产线上的测试系统，地基不是仪表精度，而是光源。尤其是这两年，1.6T光模块开始爬坡，CPO封装从样品走向量产，硅光晶圆测试的需求也一下子爆发，宽带光源、可调谐激光器、DFB激光器这些光源该怎么配、怎么用，直接决定了产线的测试效率、重复性和良率判定。

我最早对宽带光源的印象还停留在"实验室里拍光谱用的辅助工具"，直到参与了几条量产线的测试系统改造，才意识到这玩意儿才是光器件量产真正的底座。从WDM滤波器的插损筛查，到CPO光引擎的多通道耦合对准，再到硅光晶圆级测试的提速，宽带光源在里面的作用不是"可有可无的照明灯"，而是"测试节奏的节拍器"。这篇文章我就拿三个实际跑过的项目案例，把宽带光源在1.6T、CPO、硅光三个方向上的价值拆开讲透，同时也把我踩过的坑和选型时盯得最紧的几个指标一起说出来。

1. 宽带光源凭什么当光器件量产的底座

1.1 宽带光源是什么，它和可调谐激光器怎么分工

先说清楚宽带光源是什么。业界常用的宽带光源主要有两类，一类是SLED（超辐射发光二极管），一类是ASE光源（基于掺铒光纤放大器自发辐射）。它们的共同点是输出光的光谱覆盖范围很宽，比如SLED在O波段能覆盖几十纳米带，ASE在C波段和L波段能覆盖几十纳米，不像DFB激光器那样只输出一个固定波长，也不像可调谐激光器那样每次只能输出一个单波长。

那宽带光源在测试里到底干嘛用的？一句话概括：给被测器件"拍一张全光谱照片"，而不是"一个一个波长慢慢量"。光谱仪配合宽带光源，可以在几十毫秒内拿到器件在整个工作窗口上的透射谱、反射谱、插损曲线；而可调谐激光器是步进扫描波长，每到一个波长点还得等激光器稳定、等功率计积分，扫完整个波段可能要几十秒甚至几分钟。

这两种方案没有谁绝对替代谁：可调谐激光器的波长精度高、功率大、动态范围宽，适合实验室里精细表征；宽带光源+光谱仪的优势是速度快、结构简单、无机械扫描部件，适合产线上大批量、重复性高的筛查。如果拿拍照来类比，可调谐激光器是单反一张一张拍，宽带光源是把整条光谱当一张照片直接拍下来——产线需要的恰恰是后者。

1.2 为什么量产场景偏偏离不开宽带光源

量产测试和实验室测试是两种完全不同的节奏。实验室里一个器件测十分钟没人管你，产线上一颗器件超过三十秒，产线节拍就崩了。光器件量产测试里有几类高频测试，尤其依赖宽带光源：

• 插损/回损筛查：比如WDM滤波片、隔离器、分路器，需要横跨整个工作波段的插损曲线，宽带光源一次照过去就有了；
• 光谱响应测试：硅光芯片的波分复用器、调制器的光谱响应，需要看整个窗口内的形状，而不是单点；
• 耦合对准辅助：耦合工位上需要实时判断耦合效率，宽带光源输出稳定、连续覆盖工作窗口，比单波长激光器提供的信息更完整。

再加上量产测试对光源稳定性要求极高——一支光源在产线上是7×24小时开的，今天校准完的基准，两个月后不能飘掉。宽带光源没有机械调谐机构，光谱形状固定，只要做好温控和驱动电流稳定，长期稳定性反而比可调谐激光器好伺候。

1.3 光源底座不稳，后面全是坑

我在项目里见过太多"仪表很好、光源很烂"的翻车现场。比如某条产线买了一台高分辨率光谱仪，但配了一支功率漂移很大的廉价宽带光源，结果是：上午测同一个器件插损是1.52dB，下午变成了1.68dB，产线工程师急得团团转，最后发现是光源功率掉了。光源是所有测试的基准源头，源头的功率波动、波长漂移、偏振态跳动，会直接叠加在测试结果上。产线测试系统的精度上限，是由光源的稳定性决定的，这一步没做好，后面所有环节做得再精细都白搭。

2. 1.6T、CPO、硅光三条线，把光源指标逼到了什么程度

2.1 1.6T：多通道高密度把通道数推上来了

1.6T光模块的推进比大多数人预期的快。当前主流的实现方案是8×200G，也就是8个并行通道，每通道200Gbps，调制格式普遍走到PAM4甚至更高级的编码。这意味着光模块内部的光学元件数量大幅增加：8通道的LAN-WDM滤波片、8通道的AWG、高密度光引擎、大量的并行耦合点。

多通道给测试带来的直接压力是通道数和数据量成倍增长。原来100G光模块里可能就4个通道，扫一遍还能忍；现在8个通道，如果还拿可调谐激光器一个通道一个通道扫，每条产线的测试节拍会直接成为瓶颈。而且1.6T模块对通道间一致性的要求更高——8个通道的插损差异、隔离度差异，需要在一个宽波段内统一评估。这种场景下，宽带光源+光谱仪“一次拍全谱、多通道批量读”的模式，优势立刻显现出来。

2.2 CPO：外置光源加并行耦合，测试节奏完全变了

CPO（Co-Packaged Optics，共封装光学）是另一个正在爬量产的山头。CPO把光引擎和交换芯片封装在一起，激光器通常外置（比如ELSFP可插拔光源模块），通过光纤把光送到光引擎内部，再做光电转换。这种架构里，光引擎的耦合对准是生产环节里最难也最费时的一环——光引擎里往往有16通道甚至32通道，每个通道都要做光纤阵列与硅光芯片的耦合对准，耦合容差通常在亚微米量级。

传统光模块里，每个通道单独测试、单独耦合，节奏慢一点也还行。但CPO是"光引擎整体耦合 + 并行测试"，测试系统必须在同一时间给所有通道供光、读所有通道的光功率，才能判断整个光引擎的耦合状态。宽带光源的优势在于它能够同时覆盖所有通道的工作波段，配合光功率计阵列或者光相机，一次性获取全部通道的耦合信息。这点上，单波长激光器是做不到的——它只能告诉你某个波长下某个通道的耦合情况，满足不了并行测试的节奏需求。

2.3 硅光：偏振敏感、晶圆级测试、耦合波长依赖

硅光器件是这三个方向里对光源最挑剔的。首先，硅光波导对偏振高度敏感，TE偏振和TM偏振的传播特性差异很大，测试时必须控制入射光的偏振态；其次，硅光器件的主流测试方式是晶圆级测试（wafer-level test），也就是在芯片还没划片封装之前，在晶圆上用探针台加光纤阵列直接扎测，这样才能在早期筛掉不良die，省下封装的成本。

这两点之外，还有一个细节特别容易被人忽略：硅光芯片的光栅耦合器（grating coupler）的耦合效率是强依赖波长的，不同波长的光耦合进芯片的效率差别很大，耦合中心波长还随工艺偏差漂移。用单波长激光器测硅光器件，如果激光器波长和光栅耦合器的实际中心波长对不上，耦合损耗会凭空多出来好几个dB。而宽带光源天然覆盖宽波长范围，能让测试系统直接捕获整个耦合响应谱，找到真实的耦合峰再做后续测量。这种“先看全貌、再定点测试”的能力，在硅光测试里是不可替代的。

2.4 三线汇合，宽带光源的核心指标被重新定义

把三条线的需求放到一起，宽带光源的核心指标就被重新定义了：

换句话说，原来那种“随便找个宽带光源亮着就行”的用法，在1.6T、CPO、硅光这三条高端产线上已经不够用了。光源的光谱平坦度、功率稳定性、偏振特性都变成了决定产线测试能否落地量产的关键变量。

3. 实战案例一：1.6T光模块WDM滤波器产线的全波段插损测试改造

3.1 产线背景：8通道滤波片，一片一片过

2024年年初，我参与了一条1.6T光模块用LAN-WDM滤波片产线的测试系统改造。滤波片是光模块里面做波分复用的核心无源器件，8通道的LAN-WDM滤波片需要保证每个通道的插损、隔离度在规定的波长范围内都达标。

当时的痛点很直接：产线用可调谐激光器加功率计逐点扫描。每一颗滤波片要测8个通道的透射谱，每个通道要测通带插损和相邻通道隔离度，常规做法是0.1nm一个步进，一个波长点算上激光器稳定时间和功率计积分时间约150毫秒，扫一个通道80nm的波段就是800个点，120秒；8个通道测下来就是十六分钟，还要换波段、来回切通道设置。

十六分钟测一颗滤波片，这是什么概念？产线一天只能测90颗，而客户要货是论千颗的。产线工程师的反馈是：测出来的器件信心倒是够，但产能完全脱节，测试台成了全产线最大的瓶颈。

3.2 改造方案：宽带光源加OSA一次覆盖全波段

我们给的方案很直接：把可调谐激光器+功率计的扫描式方案，换成宽带光源+光谱仪（OSA）的一次成谱方案。宽带光源选用优峰技术的C波段ASE光源，覆盖1528nm到1568nm，40nm的宽光谱，输出功率经EDFA放大后足够驱动整条测试链路；OSA用高分辨型，一次曝光读取全波段的透射光谱。

改造后的测试流程变成了这样：

1. 滤波片装到测试夹具上，输入端口接宽带光源，输出端口接OSA；
2. 光源通电预热，等光谱形状稳定（这一步很重要，后面细说）；
3. OSA一次曝光，得到整个C波段的透射光谱；
4. 上位机软件自动识别8个通带中心波长，计算各通道插损和相邻通道隔离度；
5. 判定合格，换下一颗。

整个流程从装夹到出报告，控制在45秒以内。相比原来的单颗十六分钟，产线节拍提升了20倍不止，而且因为省掉了激光器波长切换的机械动作，系统的稳定性反而更好。

3.3 关键环节：参考归一化怎么扣掉光源形状

这个方案里最关键的细节，是参考归一化。宽带光源的光谱不是平整的，ASE光源在C波段往往中间高、两端低，如果不做处理，测出来的透射谱会叠加光源本身的形状，导致插损偏大或偏小。

具体做法是：在测试链路里加一条参考光路，用光开关或者分光器把光源的光同时送入参考通道和测试通道，OSA分时或分通道读取参考光谱和测试光谱，然后做比值计算。这样光源的绝对功率波动、光谱形状误差被自动扣除，测出来的就是被测器件本身的插损谱。

这一步看着简单，但在量产环境下必须做得非常严谨。参考光路的质量直接影响所有测试结果——参考光纤的插损本身也会随温度变化，要选低插入损耗、低温度敏感性的光纤跳线；参考通道的接头脏了，整个归一化基准就歪了。我们当时定了一条规矩：参考光路的插损变化超过0.02dB就立刻告警、更换跳线，这个阈值比被测器件的插损公差一个量级还小。

3.4 踩过的坑：光谱纹波和温度漂移

这个项目里踩了两个值得一提的坑。

第一个坑是光源光谱纹波。刚换宽带光源的时候，测出来的透射谱高频抖动很严重，8通道的插损重复性始终做不到±0.05dB以内。排查了大半天，最后发现是光源尾纤连接器端面有个微小的脏点导致的干涉纹波——这个脏点肉眼根本看不见，但它的等效反射会在光谱上叠加周期性的功率起伏。处理办法很土：换一根高质量连接器光纤，用端面检测仪确认划痕和清洁度达标，纹波立刻消失。后来这成了我们产线上的一条铁律：宽带光源的尾纤端面，必须纳入日常点检。

第二个坑是温度漂移。LAN-WDM滤波片的中心波长对温度比较敏感，而测试车间里空调出风口正好对着测试台，早晚温差一波动，滤波片的8个通带位置就跟着飘，导致某些通道的插损读数偏高。这个问题和光源没直接关系，但直接影响了对光源稳定性判断——如果光源本身也在温度漂移，两个漂移叠加起来，你根本分不清是器件问题还是光源问题。我们后来在测试台周围加了简易温控罩，把环境温度波动控制在±0.5℃以内，插损重复性才稳定下来。

这个项目最终交付的效果是：单个滤波片测试时间从16分钟降到45秒以内，8通道插损测试重复性做到±0.04dB，产线日产能从90颗飙升到1200颗以上。宽带光源在里面的角色，不是“提供一个亮的光”，而是提供了“一张稳定、可重复、一次覆盖全波段的底片”。

4. 实战案例二：CPO光引擎耦合工位，宽带光源做实时对准反馈

4.1 CPO耦合工位的测试痛点和需求

第二个案例是一家做CPO光引擎的厂商，产品是16通道的硅光光引擎，用在800G/1.6T交换机的CPO封装里。他们的生产流程里有一个环节是整个产线的瓶颈：光引擎的多通道耦合对准。

CPO光引擎的结构决定了它的耦合难度：光纤阵列（fiber array）带着16根光纤，需要和硅光芯片上的16个光栅耦合器一一对准，XYZ三轴加上角度，一共6个自由度的调节量。通道间距几十微米，耦合容差亚微米，稍偏一点，通道插损就上去了。更麻烦的是，光栅耦合器的耦合效率对横向偏移极其敏感，耦合对准过程必须实时盯着每个通道的功率变化来微调位置。

原来的做法是：用一个单波长激光器（比如1310nm DFB）给光引擎供光，然后逐个通道扫描功率，判断哪个通道对准了、哪个没对准。但这有个根本问题——光栅耦合器的耦合效率是波长依赖的，单波长对准了，不代表整个工作波段内都对准了；而且16个通道逐个扫功率，一次对准操作要反复扫好几轮，节拍根本跑不起来。

4.2 解决方案：宽带光源同时喂16个通道

负责这条产线改造的时候，我们做的最关键决策，是把耦合工位的DFB激光器换成优峰技术的宽带光源。方案是这样的：

• 宽带光源输出经过一个1×16的分路器，同时给16个通道供光；
• 每个通道的输出端接一个光功率计探头（或者用光功率计阵列），实时读16个通道的功率值；
• 上位机把16条功率曲线同时显示在屏幕上，耦合工程师（或者自动耦合系统）看着16条曲线做精细对准；
• 对准判定依据从“单个波长下功率最高”升级为“整个工作窗口内所有通道的功率均衡性最优”。

这套方案的核心价值在于：宽带光源让16个通道的耦合状态可以在同一时刻、同一波长基准下被比较。单波长激光器只能告诉你“1310nm处通道3的功率还行”，而宽带光源配合功率监测，能从整体上判断通道间的功率均衡度，这对CPO光引擎这种强调多通道一致性的器件来说至关重要。

4.3 关键细节：光源稳定性和偏振控制

CPO耦合工位对光源稳定性的要求比滤波片产线更高。耦合对准是一个连续调节的细活，一组16通道的耦合往往要持续几分钟到十几分钟，如果光源在这期间功率漂移了0.1dB，对耦合效率判断就是灾难——你会以为是对准偏差导致功率下降，实际上只是光源在飘。

我们在方案里给宽带光源设了自动化工作流：光源上电后先预热30分钟，确认输出功率进入稳定窗口后才开始耦合作业；耦合过程中，每5秒记录一次光源的监测输出，一旦发现超过±0.02dB的漂移，系统立刻暂停耦合并告警。这套机制看起来保守，但正是它保证了耦合工位“每次对准的结果可复现”。

偏振控制是另一个不能忽略的细节。硅光光栅耦合器对偏振敏感，TE和TM的耦合效率差异很大。宽带光源的偏振态如果随着驱动电流波动或尾纤弯曲而改变，光引擎耦合工位的功率读数就会出现无规律的跳动。我们当时在光源输出端加了在线偏振控制器，把输出偏振态锁定在TE方向，耦合工位的读数稳定性立刻上了一个台阶。

4.4 实测效果和踩过的坑

这套方案上线后，CPO光引擎耦合工位的单次对准时间从平均25分钟缩短到了9分钟，多通道功率均衡度（16个通道插损最大值与最小值之差）从改造前的约1.2dB改善到了0.5dB以内。产线上最直观的指标——光引擎耦合一次通过率，从78%提升到了94%。

过程中也踩坑。最典型的一个是：分路器做1×16分配时，16个输出臂的插损一致性不够好，导致各通道的初始功率基准不一致，耦合系统误以为某些通道天生损耗大，一直在那反复调。排查到最后，发现是分路器的输出均匀性指标没达标，换了优峰配套的均分型分路器后问题立刻消失。这里也想提醒做类似产线的朋友：多通道耦合系统的功率基准必须建立在分路器输出一致性达标的基础上，否则后面所有通道均衡性的分析都会被带偏。

5. 实战案例三：硅光晶圆级测试，从逐点扫描到一次成谱

5.1 硅光晶圆测试的现状与瓶颈

第三个案例来自一家硅光芯片代工厂，产品是用于数据中心光模块的硅光收发芯片。这类芯片在晶圆阶段就需要做完整的光电测试，提前筛掉失效die，才敢投入封装。

硅光晶圆级测试（wafer-level optical test）常规流程是：探针台扎电，光纤阵列（或者单根透镜光纤）对准芯片上的光栅耦合器，光源从一侧输入，从另一侧读取输出，测试芯片的插损、响应谱、串扰等参数。

这个流程最大的痛点是慢。一根光纤对准光栅耦合器本来就需要时间，加上当时用可调谐激光器逐点扫描光谱——比如测试一个die的整个响应谱需要200个波长点，每个点等激光器稳定再读功率，一分钟就搭进去了。一片晶圆上几百个die，算下来一片晶圆测到天荒地老。而且晶圆测试还有个特殊性：扎测和光耦合都是接触式的，接触次数多了，光纤端面和光栅耦合器表面都会磨损，测的数据稳定性也会下降。所以这个项目不光是“换更好的仪表”，而是“减少测量动作、缩短单次测量时间、提高数据可靠性”三件事一起解决。

5.2 改造方案：宽带光源加光谱仪一次成谱

我们的改造思路和案例一类似，但针对晶圆级测试做了更精细的适配：

• 将可调谐激光器+光功率计的逐点扫描替换为宽带光源+光谱仪的一次成谱；
• 宽带光源覆盖O波段（1260nm到1360nm），因为这个硅光芯片的工作窗口在O波段；
• 探头光纤重新设计，确保光纤端面和光栅耦合器的模式场匹配；
• 测量软件升级，支持触发同步：光纤对准完成后立即触发光谱仪采集，30毫秒拿到全谱。

改造后的单个die测试流程变成：光纤对准（约15秒）→ 光谱采集（30毫秒）→ 软件判定（毫秒级）→ 移动到下一个die。整个单die测试时间从原来的3到4分钟缩短到约20秒，其中包括移动和重新对准的时间。一片有300个die的晶圆，原来要测将近20个小时，现在不到2小时就能跑完。产线排产的自由度完全不是一个量级。

5.3 数据联动与节拍优化：探针台、光源、光谱仪的协同

这个项目里真正考验工程能力的不是换设备，而是让三个系统协同起来：探针台（负责扎电和移动）、光纤对准模块（负责光耦合）、光谱仪加光源（负责光谱采集）。三者之间的触发链路必须可靠，否则就会出现“光纤已经挪到下一个点了，光谱仪还在采上一个点的数据”这种错位。

我们最终的触发链路是：探针台走到目标die坐标并完成扎电后，发出一个硬件触发信号，同时触发光纤对准模块完成耦合和光谱仪开始采集；光谱仪采集完成后回传一个完成信号，探针台收到信号后抬针移动。整个握手流程的时序通过一个PLC逻辑控制器统一管理，确保任何一个环节没完成，下一个环节就不会启动。这套机制跑下来，误触发的概率几乎为零，系统的节拍非常稳定。

这个细节值得一提，是因为很多实验室里做得好好的方案，一放到产线就崩，问题恰恰出在触发和握手环节——实验室里人工盯着可以容忍各种时序错位，产线上没人盯，系统间的同步必须硬到可以“无人值守”地跑24小时。

5.4 踩过的坑：耦合效率差异、积分时间和PDL

晶圆级测试改造过程中踩了三个比较深的坑。

第一个坑是不同die的耦合效率差异很大。同一片晶圆上，边缘die和中心die因为工艺均匀性差异，光栅耦合器的耦合效率可能差出2到3dB。用固定积分时间采集光谱，中心die可能光谱饱和，边缘die的谱线却弱得没法判读。处理办法是给软件加自动增益功能：每次采集前先做一次快速预扫，根据信号的峰值自动调节积分时间，确保每个die都在合理的信号电平下测量。

第二个坑是积分时间的噪声下限。宽谱采集的积分时间短了，光谱仪的散粒噪声会变大，低插损区间的测量重复性就变差。我们花了很长时间做积分时间和信噪比的平衡实验，最终确定100ms积分时间配合多次平均，可以在单die测试节拍和测量精度之间取得最优解。

第三个坑是偏振相关损耗（PDL）假象。硅光器件的PDL本身就不小，如果用宽带光源直接入射，光源的偏振态随机波动会让采集到的光谱曲线出现“假抖动”，看起来像器件有严重的波长纹波，实际上只是偏振态在变。排掉这个坑的办法是：在光源输出端串入偏振控制器，把入射偏振稳定住，所有测试都在固定偏振态下进行。对于硅光晶圆测试，我建议不管用什么光源，偏振控制模块都必须当标配，而不是选配。

改造后的结果非常直观：一片硅光晶圆的完整测试时间从接近20小时压到2小时以内，单die测试重复性提高到±0.08dB，光纤端面的磨损率也大幅下降——因为测量时间短了，光纤在晶圆上的扫描接触次数也少了很多，端面寿命明显延长。

6. 宽带光源选型，我踩过的坑和盯得最紧的指标

6.1 六个关键指标，一个都不能少

跑了这么多产线项目，经手过好几家厂商的宽带光源，我把选型时最该盯住的指标理成了一张清单。这六个指标不是实验室里的“标称值”，而是在产线环境下真刀真枪验证出来的关键参数：

6.2 选型时最容易忽略的三个细节

第一，只看峰值功率不看功率密度。宽带光源的总功率可能很高，但分散到整个光谱里，每个纳米上的功率密度可能并不高。对光谱仪方案来说，最终决定信噪比的是“每纳米功率密度”，而不是总功率。选型的时候一定要问清楚厂商“工作波段内的最低功率密度是多少”，拿这个值去做光路预算。

第二，不要忽视光源的回损（return loss）。宽带光源的输出端如果回损指标不好，反射光回到光源内部会形成额外的干涉噪声，在光谱上表现为随机的功率纹波。这个指标很多厂商不会主动标，但产线上一旦出现莫名其妙的重复性差，回损往往是元凶。选型时尽量选内置隔离器的光源，或者外接高质量隔离器。

第三，光源的预热和稳定时间要纳入产线开机流程。宽带光源不是插电就能稳定工作的，ASE光源尤其需要一定预热时间让增益介质和温控系统稳定。很多产线的工程师习惯开机就测，结果前半小时测的数据漂到怀疑人生。把这个稳定时间写进作业指导书，比换一台更贵的光源更管用。

6.3 我在项目里验证过的几条经验

这些经验是这几年的项目里逐条验证过的，没什么花哨理论，但都是真金白银换来的：

• 参考归一化比绝对功率校准更实用。产线上判断一个测试系统是否可靠，看参考通道的稳定性比看绝对功率计的标称精度更重要。参考光路的读数就像天平的另一端，它稳了，测量结果就稳。
• 光源的“余量”比“达标”更重要。如果光源的功率只是刚好够用，链路里一个接头损耗稍微差一点，整个测量就崩了。建议选型时让光源的功率预算留出至少50%的余量，这样即使夹具老化、光纤弯折，系统仍有足够的信噪比兜底。
• 偏振控制要提到光源端，而不是测试端。在光源端做偏振控制，可以保证整条测试链路的入射偏振一致，省得在测试端为每个工位单独校正偏振态。特别是硅光晶圆测试这种多工位产线，光源端的偏振控制能统一所有工位的基准，后期的调试成本直线下降。
• 同型号光源的批间一致性也会影响产线换备件。产线光源是易耗品，总有寿命到的一天。如果不同批次的光源光谱形状差异大，换上去之后归一化基准变了，所有测试结果都得重做。选型时我会特别关注厂商的光谱一致性控制能力，优峰技术的宽带光源在这方面做得比较稳，批间光谱形状一致性可以控制在可接受范围内，这也是我多次选择它们的原因之一。

写在最后：测试系统的底座，值得多花心思

这几年跑1.6T、CPO、硅光三个方向的产线项目，我最大的体会是：产线测试系统的升级，往往不是换一台更贵的仪表，而是回到最基础的环节重新审视——光源是不是够稳、光路是不是够干净、参考基准是不是够可靠。宽带光源作为光器件量产测试里最不起眼的一环，恰恰决定了整套测试系统的天花板。把地基打牢，上面盖什么楼都踏实；地基松垮，再贵的仪表也只是在烂泥上跳舞。希望这篇实战拆解，能给正在做光器件量产测试或者准备改造测试产线的朋友一些参考。